Драйвер IGBT MOSFET STMicroelectronics
Цена по запросу
Арт. STDRIVE601
Драйвер IGBT MOSFET STMicroelectronics
Характеристики
Диапазон температур, °С
—
-40 +125 C
Задержка, нс
—
85
Корпус
—
SOIC
Рабочее напряжение, В
—
9 - 20
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Драйвер IGBT MOSFET STMicroelectronics
Цена по запросу
Арт. STDRIVE601
ST DRIVE 601 — это высоковольтное устройство, изготовленное по автономной технологии BCD6. Это однокристальная схема с тремя полумостовыми драйверами затвора для N-канальных мощных MOSFET или IGBT, подходящих для трехфазных приложений.
Документы