Микросхемы памяти Integrated Silicon Solution
Цена по запросу
Арт. IS42S16320D-6BLI
Микросхемы памяти Integrated Silicon Solution
Характеристики
Диапазон температур, °С
—
-40 +85
Тактовая частота, МГц
—
167
Время доступа
—
6 нс
Ширина шины данных
—
16 bit
Объём памяти
—
512 Mbit
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Микросхемы памяти Integrated Silicon Solution
Цена по запросу
Арт. IS42S16320D-6BLI
SDRAM объемом 512 Мб - это высокоскоростная CMOS-память с динамическим произвольным доступом, предназначенная для взаимодействия с системами памяти 3,3 В Vdd/Vddq или 2,5 В Vdd/Vddq в зависимости от опции DRAM. Внутренне сконфигурирован как четырехканальный DRAM с синхронным интерфейсом.
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
Характеристики
|
Диапазон температур, °С
|
-40 +85 |
|
Тактовая частота, МГц
|
167 |
|
Время доступа
|
6 нс |
|
Ширина шины данных
|
16 bit |
|
Объём памяти
|
512 Mbit |
|
Рабочая сила тока, мА
|
180 |
|
Напряжение, В
|
3,3 |
|
Категория
|
DRAM |
|
Серия
|
IS42S16320D |
|
Тип
|
SDRAM |
Документы