Транзистор STMicroelectronics
Цена по запросу
Транзистор STMicroelectronics
Характеристики
Диапазон температур, °С
—
-55 +150
Напряжение коллектор-эмиттер
—
600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер
—
25 А
Задержка включения
—
18,5 нс
Напряжение насыщения
—
2,5 В
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Транзистор STMicroelectronics
Цена по запросу
STMicroelectronics разработала усовершенствованное семейство IGBT, IGBT PowerMESH™, с улучшенными характеристиками. Суффикс «H» обозначает семейство, оптимизированное для высокочастотных приложений с целью достижения очень высоких характеристик переключения.
Характеристики
|
Диапазон температур, °С
|
-55 +150 |
|
Напряжение коллектор-эмиттер
|
600 В |
|
Максимальный ток коллектор-эмиттер
|
25 А |
|
Задержка включения
|
18,5 нс |
|
Напряжение насыщения
|
2,5 В |
|
Задержка выключения
|
72 нс |
|
Входная ёмкость
|
720 нФ |
|
Пороговое напряжение
|
5,75 В |
|
Рассеивание мощности
|
80 Вт |
|
Тепловое сопротивление (переход-корпус)
|
1,56 °C/W |