Высоковольтный транзистор Microchip Technology
Цена по запросу
Арт. APT45GP120BG
Высоковольтный транзистор Microchip Technology
Характеристики
Диапазон температур, °С
—
-55 +150
Вес, г
—
5,9
Напряжение коллектор-эмиттер
—
1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер
—
100 А
Задержка включения
—
18 нс
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Высоковольтный транзистор Microchip Technology
Цена по запросу
Арт. APT45GP120BG
Новое поколение силовых высоковольтных транзисторов IGBT. Этот IGBT идеально подходит для многих высокочастотных и высоковольтных коммутационных приложений и был оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания.
Характеристики
|
Диапазон температур, °С
|
-55 +150 |
|
Вес, г
|
5,9 |
|
Напряжение коллектор-эмиттер
|
1200 В |
|
Максимальный ток коллектор-эмиттер
|
100 А |
|
Задержка включения
|
18 нс |
|
Задержка выключения
|
102 нс |
|
Входная ёмкость
|
3935 нФ |
|
Рассеивание мощности
|
625Вт |
|
Тип транзистора
|
PT |
|
Тепловое сопротивление (переход-корпус)
|
0,20 °C/W |
Фотогалерея
1/1
—