Высоковольтный транзистор Microchip Technology
Цена по запросу
Арт. APT75GP120B2G
Высоковольтный транзистор Microchip Technology
Характеристики
Диапазон температур, °С
—
-55 +150
Вес, г
—
6,87
Напряжение коллектор-эмиттер
—
1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер
—
100 А
Задержка включения
—
20 нс
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Высоковольтный транзистор Microchip Technology
Цена по запросу
Арт. APT75GP120B2G
Новое поколение силовых высоковольтных транзисторов IGBT. Этот IGBT идеально подходит для многих высокочастотных и высоковольтных коммутационных приложений и был оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания.
Характеристики
|
Диапазон температур, °С
|
-55 +150 |
|
Вес, г
|
6,87 |
|
Напряжение коллектор-эмиттер
|
1200 В |
|
Максимальный ток коллектор-эмиттер
|
100 А |
|
Задержка включения
|
20 нс |
|
Напряжение насыщения
|
3,9 В |
|
Задержка выключения
|
163 нс |
|
Входная ёмкость
|
1300 нФ |
|
Рассеивание мощности
|
1042 Вт |
|
Тип транзистора
|
PT |
|
Тепловое сопротивление (переход-корпус)
|
0,4 °C/W |